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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西北某LED概念片的生产的单位,因的生产的整个过程中的使用砷化镓、磷化清理铟等III-V族单质,废水内含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等巨资属,定制清理范围1200吨/日。 废污水营养成分及因素 MOCVD专用设备除垢废水处理 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机酸合金材料无机化合物 割切打磨污废水 :含纳米级级复合颗粒剂 真空电镀污水 :含铜、镍等金属制正离子 办理工艺技术步骤流程 转型升级用"防氧化破络+巨资属气体吸附+膜提取"组合成工艺流程: 预治理 单位 :添加亚硫酸氢钠转化有机物铝合金络合物 中心治理单元测试卷 : 选择DTCR高价属收集剂组成不阴离子型螯合物 超滤膜程序(UF)虚报冒领大原子污染源物 反加入(RO)脱盐率>98% 污泥干化补救单元式 :离心力脱水等后交予危险废弃物治理 机构处理 既定效用 经承包方测试: 总砷水平:0.05mg/L(国家标准0.5mg/L) 镉量:0.01mg/L(国家行业标准0.1mg/L) 水回收利用率:75% 加载成本低:3.8元/吨水

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